2024年12月24日 星期二
·IGBT
共有三個級,一般為G、E、C,通過G、E間加控制信號時可以改變E、C間的導通和截止。IGBT為電壓型驅動器件,具備MOSFET的高速開關特性和晶體管的低導通電阻。